Domingo, 22 de Junho de 2008

Sociedade do Estado Sólido

Os metais têm papel central no estudo do estado sólido, tendo sido foco de grande parte do avanço teórico nesta área (algumas razões são o fato de os metais serem bons condutores de eletricidade e calor, e a maior parte dos elementos serem metais), embora o estado sólido da matéria inclua outros tipos de materiais. Entretanto é aos semicondutores que as pessoas geralmente se referem ao usar o termo “estado sólido”, tanto que o título deste blog é também o título de um anime da série Ghost In The Shell, uma referência ao avanço dos microprocessadores no futuro mostrado no desenho japonês.

Uma pessoa de fundamental importância no desenvolvimento da física do estado sólido foi John Bardeen. Ele graduou-se em engenharia e, pouco depois, em 1930, foi um dos pioneiros a usar métodos geofísicos na prospecção de petróleo. Mais tarde obteve seu Ph.D. em física-matemática em Princeton, e deu aulas na Universidade de Minnesota, até que a Segunda Guerra o levou a trocar temporariamente a universidade por um laboratório de pesquisas da marinha norte-americana [1]. Após a guerra, Bardeen foi para os laboratórios Bell, onde desenvolveu pesquisas que o levariam à descoberta do transistor, que lhe daria seu primeiro Nobel de física, junto com William Bradford Shockley e Walter Houser Brattain.

Figura 1: John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain §.

Os semicondutores a temperatura de zero absoluto não são capazes de conduzir eletricidade; apenas quando há defeitos na sua estrutura eletrônica, seja por agitação térmica, ou por adição de impurezas, é que eles são capazes de conduzir corrente elétrica. Alguns átomos, ao serem introduzidos no material semicondutor, podem perder elétrons: são as impurezas doadoras; já os átomos que ao serem inseridos no material semicondutor podem absorver elétrons são chamados receptores [2].

Na figura 2 vemos um gráfico simplificado da densidade de carga elétrica em função de x, sendo x a direção onde há a variação de cargas em nosso dispositivo semicondutor. O campo elétrico formado no limiar entre as regiões predominante doadoras, carregadas positivamente, e receptoras, carregadas negativamente, oferece um obstáculo à corrente elétrica que tenta fluir no sentido receptor-doador, permitindo a fabricação de dispositivos retificadores (que controlam a passagem de corrente), e um estímulo à corrente que tenta fluir no sentido doador-receptor, possibilitando a construção de amplificadores [3,4].

Figura 2: a corrente elétrica I pode ser formada por um fluxo de “buracos” (ausência de elétrons na estrutura eletrônica) no mesmo sentido, e por um fluxo de elétrons no sentido contrário. A diferença de potencial devido às cargas pode filtrar correntes com sentido para a direita, e pode amplificar correntes com sentido para a esquerda.

A primeira aplicação do transistor foi em rádios de bolso na década de 1950, devido ao seu tamanho reduzido e pequeno consumo de energia, substituindo assim as antigas válvulas. Hoje em dia o transistor é usado em chips de memória e microprocessadores, onde o transistor atua ligando e desligando a corrente no circuito; estes dois estados, ligado e desligado, correspondem aos números 1 e 0 usados em computadores [5].

Figura 3: aparelhos eletrônicos como tocadores de mp3 fazem uso de dispositivos de semicondutores para armazenamento e processamento de dados.

Alguns anos depois Bardeen tornou-se a primeira (e até hoje a única) pessoa a ganhar dois prêmios Nobel de física, desta vez com Leon Neil Cooper e John Robert Schriefer, pelo desenvolvimento de uma teoria que explicava o desaparecimento da resistência em metais a baixas temperaturas, a supercondutividade. Essa teoria é conhecida hoje como Teoria BCS, as iniciais dos sobrenomes dos três pesquisadores.

[1] http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1972/bardeen-bio.html

[2] Semiconductor research leading to the point contact transistor, John Bardeen, Nobel Lecture, December 11, 1956

[3] Physical Principles Involved in Transistor Action, J. Bardeen e W. H. Brattain, Phys. Rev. 75, 1208 - 1225 (1949)

[4] Solid State Physics, N. W. Ashcroft e N. D. Mermin, Saunders College Publishers, pg 598 (1976)

[5]http://www.britannica.com/EBchecked/topic/602718/transistor/236464/Development-of-transistors#ref=ref228682


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